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SiC碳化硅MOSFET|OBC SiC MOSFET|DC-DC SiC MOSFET|组串逆变器SiC MOSFET|UPS SiC MOSFET|OBC SiC二极管|ESS储能逆变器 SiC MOSFET|SiC碳化硅衬底外延|SiC碳化硅|SiC碳化硅模块|SiC碳化硅功率器件|SiC碳化硅肖特基二极管|SiC碳化硅MOSFET|basicsemi|第三代半导体|基本半导体|碳化硅(SiC) MOSFET 裸芯片|替代单管IGBT|碳化硅 MOSFET 单管|BASiC Semiconducto
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网站公告
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试,其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
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OBC DC-DC碳化硅SiC MOSFET 光伏储能碳化硅MOSFET 充电桩电源模块
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联系人:基本半导体
电话:0755-22670439
邮件:info@basicsemi.com
传真:0755-86329521
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